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Datasheet下载- 型号： 2SK1119(F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK1119(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK1119(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK1119(F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK1119(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK1119(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba半导体与存储出品的2SK1119(F)是一款N沟道MOSFET晶体管，属于单MOSFET器件，广泛应用于各类电子设备中。该型号具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性等特点，适合用于电源管理与信号控制场景。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS），如适配器、充电器和DC-DC转换器中作为功率开关元件，提升能效并减少能量损耗；在电池供电设备（如便携式仪器、移动终端）中用于电源通断控制和负载切换，有助于延长电池寿命；还可用于驱动小型电机、继电器或LED照明系统，实现高效的电子控制。 此外，2SK1119(F)也适用于消费类电子产品，如电视、音响设备和家用电器中的信号切换与电源调节电路。其封装紧凑，适合高密度PCB布局，有利于小型化设计。由于具备良好的热稳定性和耐压性能，该MOSFET在工业控制、办公自动化设备及通信模块中也有广泛应用。 总之，2SK1119(F)凭借其优异的电气特性与稳定性，成为中低功率应用中理想的开关元件，特别适用于注重效率、可靠性和空间利用率的电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK1119(F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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