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型号： FDPF8N50NZU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF8N50NZU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF8N50NZU价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF8N50NZU封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 500V 6.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF8N50NZU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF8N50NZU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDPF8N50NZU 是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体来说是一款N沟道增强型MOSFET。该型号的MOSFET在多个应用场景中都有广泛的应用，尤其是在电力电子和工业控制领域。

 主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：
   FDPF8N50NZU 适用于各种开关电源的设计，包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使得它能够在高频工作条件下保持高效，减少能量损耗，提高电源转换效率。

2. 电机驱动：
   在电机驱动应用中，FDPF8N50NZU 可以作为功率开关，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力（500V）使其能够承受电机启动时的高电压冲击，同时其低导通电阻有助于减少发热，延长器件寿命。

3. 逆变器：
   在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，FDPF8N50NZU 可以用作开关元件，将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性使其成为逆变器设计中的理想选择。

4. 电池管理系统（BMS）：
   在电池管理系统中，FDPF8N50NZU 可以用于电池充放电保护电路，防止过充、过放和短路等情况的发生。其高可靠性和低导通电阻有助于提高系统的安全性和效率。

5. 电动工具：
   电动工具如电钻、电锯等需要高效的功率控制，FDPF8N50NZU 的快速响应和低损耗特性使其非常适合这些应用。它可以有效控制电动工具的电机转速，提供稳定的工作性能。

6. 工业自动化：
   在工业自动化设备中，FDPF8N50NZU 可以用于各种控制电路，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在严苛的工业环境中稳定工作。

 总结：
FDPF8N50NZU 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特点。它广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统、电动工具和工业自动化等领域，能够提供高效、可靠的功率控制解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220FMOSFET 500V N-Channel UniFET-II
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	6.5 A
Id-连续漏极电流	6.5 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF8N50NZUUniFET-II™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDPF8N50NZU
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	40 W
Pd-功率耗散	40 W
Qg-GateCharge	14 nC
Qg-栅极电荷	14 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	1 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V to 5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V to 5 V
上升时间	34 ns
下降时间	27 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	735pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	18nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.2 欧姆 @ 4A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220F
典型关闭延迟时间	43 ns
功率-最大值	40W
包装	管件
单位重量	2.270 g
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	1 Ohms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
正向跨导-最小值	6.3 S
汲极/源极击穿电压	500 V
漏极连续电流	6.5 A
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.5A （Tc）
系列	FDPF8N50NZ
配置	Single