Datasheet下载- 型号： PHB18NQ10T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB18NQ10T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB18NQ10T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB18NQ10T,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB18NQ10T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB18NQ10T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PHB18NQ10T,118 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高电流能力和良好热性能，适用于多种电源管理和功率转换场景。 该器件主要应用于： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源设计。 2. 电机控制与驱动：用于工业自动化设备、电动工具和汽车中的电机驱动电路，提供高效、可靠的开关控制。 3. 汽车电子：作为车载充电系统、车身控制模块和LED照明驱动中的关键功率开关器件，满足汽车应用对可靠性和效率的要求。 4. 消费类电子产品：如电源适配器、智能家电和储能设备中，用于提高能效并减小系统体积。 5. 工业电源与负载开关：在工业控制和电源分配系统中用于高频率开关操作，支持高效能和紧凑设计。 PHB18NQ10T,118 采用小型封装，具备良好的热管理能力，适合高密度和高效率要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB18NQ10T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 934055699118 |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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