Datasheet下载- 型号： PHB18NQ10T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB18NQ10T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB18NQ10T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB18NQ10T,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB18NQ10T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB18NQ10T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB18NQ10T,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，额定电压100V，连续漏极电流达18A（Tc=25°C），低导通电阻（Rds(on)典型值仅~40mΩ），具备快速开关特性和良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：如通信设备、工业电源中的同步整流、降压（Buck）或升压（Boost）电路； - 电机控制：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速模块； - 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、服务器电源、LED驱动器中用作高效电子开关，实现上电时序控制、过流保护及热插拔功能； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）、车窗升降、座椅调节等12V/24V车载负载驱动； - 逆变器与UPS系统：作为高频开关器件参与单相逆变输出级，支持中小功率不间断电源设计。 该器件强调高效率与紧凑设计，适合对能效、温升和PCB空间有要求的中功率应用。实际选型需结合散热条件、驱动能力及系统EMI要求进行评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB18NQ10T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 633pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 934055699118 |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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