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Datasheet下载- 型号： SI4410DYTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4410DYTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4410DYTRPBF价格参考。International RectifierSI4410DYTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4410DYTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4410DYTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 SI4410DYTRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低功耗管理的场景。该器件采用TSDSON-8封装，具有优异的热性能和小型化设计，适用于空间受限但对效率要求较高的电子产品。 SI4410DYTRPBF 常见的应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理模块，用于电池供电系统的负载开关或DC-DC转换器；通信设备中的电源转换电路；以及消费类电源适配器、LED驱动电源等。此外，它也适用于电机控制、电源逆变器和各类工业控制电路中，作为高效的开关元件。 其低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)）特性使其在高频开关应用中表现出色，有助于提升系统整体能效并减少发热。同时，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计。综上，SI4410DYTRPBF是一款适用于高效率、小体积电源管理系统的理想MOSFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier SI4410DYTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4410DYTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7.7 ns |
| 下降时间 | 44 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1585pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4410DYPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 30 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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