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IRF7404PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7404PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7404PBF价格参考。International RectifierIRF7404PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 6.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7404PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7404PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7404PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单个FET晶体管。其应用场景主要包括以下领域: 1. 开关电源 - IRF7404PBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,作为功率开关器件。它能够在高频条件下高效地切换电压和电流,适用于降压、升压或反激式转换器。 - 特别适合于DC-DC转换器和AC-DC适配器等应用。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,IRF7404PBF可用作功率级开关元件。通过PWM(脉宽调制)信号控制电机的速度和方向。 - 适用于家用电器、电动工具和其他需要电机控制的设备。 3. 负载开关 - 用作负载开关,控制电路中的电流流动。例如,在电池供电设备中,它可以实现高效的电源管理,减少功耗并延长电池寿命。 4. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRF7404PBF可用于将直流电转换为交流电。其低导通电阻特性有助于提高效率,降低能量损耗。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或限流电路中,IRF7404PBF可以快速响应并切断异常电流路径,从而保护系统免受损害。 6. 音频放大器 - 在某些D类音频放大器设计中,IRF7404PBF可以用作输出级开关器件,提供高效率的音频信号放大。 性能特点: - 低导通电阻:减少传导损耗,提高整体效率。 - 高耐压能力:额定电压为60V,适合中低压应用场景。 - 大电流处理能力:连续漏极电流可达39A(@Tc=25°C),满足高功率需求。 - 快速开关速度:支持高频工作环境,降低开关损耗。 综上所述,IRF7404PBF广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 40mOhms 33.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7404PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7404PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 33.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 3.2A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 33.3 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 6.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.7A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7404.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7404.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |