Datasheet下载- 型号： IRF7739L2TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7739L2TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7739L2TRPBF价格参考。International RectifierIRF7739L2TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7739L2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7739L2TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRF7739L2TRPBF 的MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET），常用于高效能电源管理和功率转换应用。该器件是一款单N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于对功耗和散热要求较高的场合。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源模块中，尤其适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源设计。 2. 电机控制：在直流电机驱动、步进电机控制器及电动工具中，IRF7739L2TRPBF可用于实现高效的开关控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电保护电路中，作为高侧或低侧开关，实现对电池组的安全管理。 4. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用如车身控制模块、车载充电系统、LED照明驱动等。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源和自动化设备中，用于功率开关和负载控制。 该MOSFET采用TrenchFET技术，封装形式为PQFN（Power Quad Flat No-leads），具有小尺寸、高功率密度和良好散热性能，适合高频率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET L8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7739L2TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 330nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 毫欧 @ 160A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET L8 |
| 其它名称 | IRF7739L2TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等距 L8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 46A （Ta）， 375A （Tc） |
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