Datasheet下载- 型号： FDD7N20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD7N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD7N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD7N20TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD7N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD7N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD7N20TM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： FDD7N20TM 的高电压耐受能力（最大漏源极电压 Vds = 200V）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以高效地控制功率转换过程，适用于降压、升压或反激式拓扑结构。 2. 电机驱动： 在中小功率电机驱动中，该 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（Rds(on) = 0.45Ω @ Vgs = 10V）有助于减少功率损耗，提高系统效率。 3. 逆变器电路： FDD7N20TM 可用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中，作为功率开关器件实现直流到交流的转换。其快速开关特性和良好的热性能确保了系统的稳定运行。 4. 负载切换与保护： 在需要频繁开启或关闭负载的应用中（如汽车电子、工业控制设备），这款 MOSFET 能够可靠地执行负载切换功能，并提供过流保护。 5. DC-DC 转换器： 该器件适用于各种 DC-DC 转换器设计，例如 Buck 或 Boost 拓扑，能够有效降低功耗并提升转换效率。 6. 电磁阀控制： 在工业自动化领域，FDD7N20TM 可以用来驱动电磁阀，通过精确的电流控制实现阀门的开闭操作。 7. 照明系统： 在 LED 照明驱动电路中，这款 MOSFET 能够提供高效的电流调节和调光功能，同时保持较低的发热量。 8. 消费类电子产品： 如充电器、适配器等便携式设备中，FDD7N20TM 的紧凑封装（TO-220）和高性能参数使其成为理想选择。 总之，FDD7N20TM 凭借其高耐压、低导通电阻以及优秀的开关特性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效功率管理和可靠开关性能的场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5A D-PAKMOSFET 200V N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD7N20TMUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD7N20TM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 43 W |
| Pd-功率耗散 | 43 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 690 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 690 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 690 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD7N20TMTR |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 43W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 690 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 系列 | FDD7N20TM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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