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  • 型号: IRFR13N20DCPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR13N20DCPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR13N20DCPBF价格参考。International RectifierIRFR13N20DCPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR13N20DCPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR13N20DCPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFR13N20DCPBF的器件是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子系统中。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的能量转换,适用于通信设备、服务器和工业电源系统。

2. 电机控制:在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中,作为高速开关使用,常见于工业自动化、机器人和电动工具中。

3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如照明系统、加热元件或风扇控制。

4. 逆变器和变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和变频驱动系统中,用于将直流电转换为交流电。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及车载充电器等场景。

该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(200V)和良好热性能,适合高频率开关操作,有助于提升系统效率并减少散热需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRFR13N20DCPBF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

830pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

235 毫欧 @ 8A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

110W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

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