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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP135H6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP135H6327XTSA1价格参考。InfineonBSP135H6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223-4。您可以下载BSP135H6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP135H6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的BSP135H6327XTSA1是一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中小功率开关和信号控制场合。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和良好的热稳定性,适合在紧凑型电子设备中使用。 典型应用场景包括:便携式电子产品中的电源管理,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池保护电路与负载开关;消费类电器中的电机驱动,例如小型直流电机或步进电机的控制;LED照明驱动电路中作为恒流调节或开关元件;工业控制模块中的继电器替代或固态开关设计,提升系统可靠性并减少电磁干扰。 此外,由于其封装小型化(如SOT-23或类似微型贴片封装),BSP135H6327XTSA1适用于空间受限的高密度PCB布局,常见于传感器接口、电源转换模块(DC-DC变换器、LDO旁路控制)以及各类低电压、中等电流的开关电源设计中。 该MOSFET工作电压适中,具备良好的静电防护能力,适合在工业温度范围内稳定运行,因此也用于通信设备、智能家居控制板及汽车电子外围电路(如车用小功率负载驱动)。总体而言,BSP135H6327XTSA1是一款高性价比、高可靠性的通用型MOSFET,适用于多种低功耗、高频开关场景。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Depletion |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 0.12 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 600V 45Ohms 120mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP135H6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSP135H6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 3.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.4 V |
| 上升时间 | 5.6 ns |
| 下降时间 | 182 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 系列 | BSP135 |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058812 |