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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138P,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138P,215价格参考¥0.17-¥0.46。NXP SemiconductorsBSS138P,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 360mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)。您可以下载BSS138P,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS138P,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS138P,215是Nexperia USA Inc.生产的一款小信号N沟道MOSFET,属于场效应晶体管(FET)类别。该器件广泛应用于低电压、低功耗的开关与信号切换场景中。 其典型应用场景包括便携式电子设备中的电源管理与信号路由,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。由于其具备低阈值电压和较小导通电阻,适合用于逻辑电平转换电路,实现不同电压域之间的I²C、SPI等数字信号接口电平匹配。 此外,BSS138P,215常用于模拟开关、继电器驱动、LED控制以及小电流负载开关等场合。其SOT23封装体积小巧,适用于高密度PCB布局,满足现代电子产品小型化需求。 在工业控制和通信模块中,该MOSFET也用于隔离电路或作为高频开关元件,提供快速响应和高效性能。总体而言,BSS138P,215因其可靠性高、成本低、性能稳定,成为消费类电子和嵌入式系统中常用的通用型MOSFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236ABMOSFET N-CH 60 V 360 mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 360 mA |
| Id-连续漏极电流 | 360 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS138P,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS138P,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Qg-GateCharge | 0.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 300mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10308-6 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 700 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 360 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 360mA (Ta) |