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Datasheet下载- 型号： FCD380N60E
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FCD380N60E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD380N60E由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD380N60E价格参考。Fairchild SemiconductorFCD380N60E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 10.2A（Tc） 106W（Tc） D-Pak。您可以下载FCD380N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCD380N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD380N60E 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该 MOSFET 适用于开关模式电源的设计，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其 600V 的耐压能力使其能够承受高电压环境，适合用于工业和消费类电源适配器。 2. 电机驱动：FCD380N60E 可用于控制和驱动中小型电机，例如家用电器中的风扇、泵或压缩机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗并提高效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，这款 MOSFET 可以用作开关元件，实现直流到交流的转换。 4. 负载开关：由于其快速开关特性和低导通电阻，FCD380N60E 可以作为高效负载开关使用，适用于需要频繁开启和关闭的电路。 5. PFC（功率因数校正）电路：在功率因数校正电路中，这款 MOSFET 可以帮助提高系统的功率因数，从而满足能效标准。 6. 电磁阀控制：在工业自动化领域，FCD380N60E 可用于控制电磁阀的开闭，提供稳定的电流输出。 7. 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中，该 MOSFET 可用于电池充放电管理以及逆变电路中，确保系统稳定运行。 总结来说，FCD380N60E 凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效能量转换和控制的场景下表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 10.2A DPAKMOSFET 600V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 10.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD380N60ESuperFETII® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCD380N60E |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FCD380N60ETR |
| 典型关闭延迟时间 | 64 ns |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.2A （Tc） |
| 系列 | FCD380N60E |
| 配置 | Single |
