Datasheet下载- 型号： FQD10N20TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD10N20TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD10N20TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD10N20TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD10N20TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD10N20TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD10N20TF 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有10A电流容量和200V漏源击穿电压。该器件广泛应用于需要高效功率控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源转换器与DC-DC变换器：适用于开关电源、适配器及各类DC-DC转换电路，因其高耐压和低导通电阻特性，可提高系统效率并减少发热。 2. 电机驱动电路：可用于直流电机、步进电机等的控制模块中，提供快速开关响应和稳定输出，适合工业自动化设备和机器人控制系统。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等应用中作为关键开关元件，实现高效的能量转换。 4. 负载开关与电源管理：用于电池管理系统（BMS）、智能电表、LED照明驱动等场合，支持高频开关操作，有助于减小外围元件尺寸。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准的版本可用于车载充电器、车身控制模块等，具备良好的可靠性和温度适应性。 综上，FQD10N20TF凭借其高性能参数，在工业控制、消费类电源、新能源及汽车电子等领域均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD10N20TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Tc） |
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