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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PD54003S-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD54003S-E价格参考。STMicroelectronicsPD54003S-E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 7.5V 50mA 500MHz 12dB 3W PowerSO-10RF(直引线)。您可以下载PD54003S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD54003S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PD54003S-E 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类别。该器件专为高频射频应用设计,具有低导通电阻、高开关速度和出色的线性性能等特性。以下是其主要应用场景: 1. 射频功率放大器 PD54003S-E 适用于射频功率放大器的设计,广泛用于无线通信设备中,例如蜂窝基站、对讲机和其他射频发射设备。其高效的功率转换能力和稳定性使其成为理想选择。 2. 无线通信系统 该器件可应用于各种无线通信场景,包括 GSM、CDMA、LTE 和其他现代移动通信标准中的信号放大和处理。其优异的射频性能确保了信号的清晰度和传输效率。 3. 工业无线设备 在工业自动化领域,PD54003S-E 可用于无线传感器网络、远程监控设备和数据传输模块,提供可靠的射频信号处理能力。 4. 射频开关 由于其快速开关特性和低插入损耗,PD54003S-E 也适合用作射频开关,用于天线切换或多频段信号选择等应用。 5. 雷达和导航系统 在需要高精度和高性能射频信号处理的雷达和导航系统中,该器件可以作为关键组件,实现信号放大和调制功能。 6. 物联网(IoT)设备 随着物联网的发展,PD54003S-E 被广泛应用于智能家居、智能城市和可穿戴设备中的射频模块,支持高效的数据传输和通信。 总之,PD54003S-E 凭借其卓越的射频性能和可靠性,成为多种高频应用的理想选择,特别是在通信、工业和消费电子领域中发挥重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
产品分类 | RF FET |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PD54003S-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | PowerSO-10RF(直引线) |
功率-输出 | 3W |
包装 | 管件 |
噪声系数 | - |
增益 | 12dB |
封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 50 |
电压-测试 | 7.5V |
电压-额定 | 25V |
电流-测试 | 50mA |
频率 | 500MHz |
额定电流 | 4A |