ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STP11NM60N
Datasheet下载- 型号： STP11NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP11NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP11NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTP11NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP11NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP11NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP11NM60N是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的单个MOSFET晶体管，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有出色的电气特性，适用于多种电力电子应用场景。 主要特点： - 耐压能力：最高可承受600V的漏源电压（Vds），适用于高压应用。 - 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高效率。 - 高电流承载能力：最大连续漏极电流可达11A（Tc=25°C），适合大电流应用。 - 快速开关性能：具备快速开关速度，能够有效降低开关损耗，适合高频开关应用。 - 栅极阈值电压：较低的栅极阈值电压使得驱动更加容易，减少了驱动电路的设计复杂性。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STP11NM60N常用于开关电源中的主开关管或同步整流管。其高耐压和低导通电阻特性使其能够在高压输入下高效工作，适用于AC/DC转换器、DC/DC转换器等场合。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。它能够提供足够的电流来启动和控制电机，并且其快速开关特性有助于实现精确的速度和位置控制。 3. 太阳能逆变器 在太阳能光伏系统中，STP11NM60N可以作为逆变器中的关键元件，用于将直流电转换为交流电。其高效的开关性能有助于提高系统的整体转换效率。 4. 电池管理系统（BMS） 在电动汽车和储能系统中，STP11NM60N可用于电池管理系统的保护电路中，如过流保护、短路保护等。其低导通电阻有助于减少功耗，延长电池寿命。 5. 工业自动化 在工业控制系统中，STP11NM60N可用于驱动各种执行器和传感器。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 总之，STP11NM60N凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP11NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-5887-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF90822?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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