ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIA477EDJ-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIA477EDJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA477EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA477EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA477EDJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 12A（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA477EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA477EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA477EDJ-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）等应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机控制：可用于小型直流电机驱动，提供高效、可靠的开关性能。其快速开关能力和低导通电阻使其适合于需要高效率和低热耗散的应用。 3. 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，能够快速响应负载变化，同时保持低功耗。适用于智能手机、平板电脑和其他电池供电设备。 4. 电池保护：用于锂离子电池保护电路中，防止过充、过放和短路等问题。其低导通电阻有助于减少电池电流流动时的电压降。 5. 信号切换：在音频和视频信号切换应用中，作为高性能开关使用，确保信号完整性并减少失真。 6. 汽车电子：适用于汽车电子系统中的各种开关应用，如LED照明、电动座椅控制和娱乐系统等。其坚固的设计能够承受严苛的工作环境。 7. 通信设备：用于基站、路由器和其他通信设备中的电源管理和信号切换功能，确保稳定可靠的操作。 总之，SIA477EDJ-T1-GE3凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，为各种需要高效开关和低功耗的应用提供了理想的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6LMOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA477EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA477EDJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2970pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 7A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 典型关闭延迟时间 | 74 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 25 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 31 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 漏极连续电流 | - 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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