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  • 型号: IRFR5505PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR5505PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5505PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5505PBF价格参考。International RectifierIRFR5505PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR5505PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR5505PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 55V 18A DPAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 18 A

Id-连续漏极电流

- 18 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5505PBFHEXFET®

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产品型号

IRFR5505PBF

Pd-PowerDissipation

57 W

Pd-功率耗散

57 W

Qg-GateCharge

21.3 nC

Qg-栅极电荷

21.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

110 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

110 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 55 V

Vds-漏源极击穿电压

- 55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

28 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

110 毫欧 @ 9.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

57W

功率耗散

57 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

110 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

21.3 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

- 55 V

漏极连续电流

- 18 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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