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IRFR5505PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5505PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5505PBF价格参考。International RectifierIRFR5505PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR5505PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR5505PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFR5505PBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) IRFR5505PBF适用于开关电源中的功率转换电路,例如DC-DC转换器或AC-DC适配器。其低导通电阻(Rds(on))和高效率特性使其成为高频开关应用的理想选择。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、速度和方向。其耐压能力(Vds = 60V)和电流处理能力(Id = 89A)能够满足多种电机驱动需求。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池保护和管理电路中,IRFR5505PBF可以用作电池充放电路径的开关,实现过流保护、短路保护以及负载切换功能。 4. 逆变器和变频器 该MOSFET适合用于逆变器和变频器中的功率级电路,帮助调节输出电压和频率,广泛应用于家用电器(如空调、冰箱)和工业设备中。 5. 负载开关和电源管理 在电子设备中,IRFR5505PBF可以作为高效的负载开关,用于动态管理不同负载的供电状态,降低功耗并提高系统可靠性。 6. 汽车电子 虽然IRFR5505PBF并非专门针对汽车级设计,但在一些非关键汽车应用中(如车窗升降、座椅调节等),它仍可作为功率开关使用。 7. LED驱动和照明 在大功率LED驱动电路中,该MOSFET可用作PWM调光开关或恒流控制元件,确保LED亮度稳定且高效。 总结来说,IRFR5505PBF凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和开关操作的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 55V 18A DPAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 18 A |
Id-连续漏极电流 | - 18 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5505PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR5505PBF |
Pd-PowerDissipation | 57 W |
Pd-功率耗散 | 57 W |
Qg-GateCharge | 21.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 21.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 28 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 9.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 57W |
功率耗散 | 57 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 110 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 21.3 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
漏极连续电流 | - 18 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |