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Datasheet下载- 型号： PMPB20XPE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB20XPE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB20XPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB20XPE,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6。您可以下载PMPB20XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB20XPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMPB20XPE,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET 晶体管。该型号属于 P 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和信号切换应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 PMPB20XPE,115 常用于电源管理电路中，特别是在低压降线性稳压器（LDO）、DC-DC 转换器和负载开关等应用中。它的低导通电阻可以减少功率损耗，提高效率，特别适合需要高效能的便携式设备和电池供电系统。 2. 负载开关 在负载开关应用中，PMPB20XPE,115 可以快速、可靠地控制电流的通断，确保电路在启动或关闭时不会产生过大的浪涌电流。它广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制系统中，帮助实现电源的精确控制。 3. 电机驱动 该 MOSFET 也可用于小型直流电机的驱动电路中，尤其是在需要频繁启停或调速的应用场景下。其高开关速度和低功耗特性使得它非常适合用于玩具、智能家居设备和其他小型电机控制系统。 4. 电池保护 在电池管理系统中，PMPB20XPE,115 可以用作电池充放电路径的开关，防止过充、过放或短路等情况的发生。它能够承受一定的反向电压，确保电池的安全性和可靠性。 5. 信号切换 在信号切换应用中，PMPB20XPE,115 可以用于高速信号的传输路径中，作为开关元件。它能够在不引入过多噪声的情况下，快速切换信号路径，适用于通信设备、数据采集系统等领域。 6. 汽车电子 该 MOSFET 还可用于汽车电子系统中的各种开关和保护电路，如车灯控制、电动座椅调节、空调系统等。其耐高温、抗干扰能力强，能够适应汽车环境中的恶劣条件。 总之，PMPB20XPE,115 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合对效率和响应速度有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220MOSFET PMPB20XPE/SOT1220/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 10.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 10.3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB20XPE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMPB20XPE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 12.5 W |
| Pd-功率耗散 | 12.5 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.68 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.68 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 294pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23.5 毫欧 @ 7.2A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10817-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020MD-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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