ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTR1P02T1G
Datasheet下载- 型号： NTR1P02T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR1P02T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR1P02T1G价格参考。ON SemiconductorNTR1P02T1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NTR1P02T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR1P02T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTR1P02T1G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和开关控制场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理电路；各类消费类电子产品中的负载开关或电压反转电路；以及DC-DC转换器中的同步整流或电平转换模块。由于其P沟道特性，常用于高边开关设计，可简化驱动电路，降低系统复杂度。 此外，NTR1P02T1G也广泛应用于电机驱动、LED驱动、电源多路复用及过压保护等电路中。其小型化封装（如SOT-23）适合空间受限的高密度PCB布局，满足现代电子产品轻薄化需求。同时，该器件具备良好的抗静电能力与可靠性，适合工业控制、汽车电子外围电路等对稳定性要求较高的环境。 总之，NTR1P02T1G凭借其优异的电气性能和紧凑封装，适用于中小功率开关应用，尤其在需要高效、低功耗控制的便携式和嵌入式系统中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23MOSFET -20V -1A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR1P02T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTR1P02T1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.4 W |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 148 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 148 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 165pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR1P02T1GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 0.4 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 148 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
| 系列 | NTR1P02 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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