ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > SZMMSZ5229BT1G
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SZMMSZ5229BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZMMSZ5229BT1G价格参考。ON SemiconductorSZMMSZ5229BT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载SZMMSZ5229BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SZMMSZ5229BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的SZMMSZ5229BT1G是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 - 齐纳二极管的核心功能是提供稳定的参考电压。SZMMSZ5229BT1G的齐纳电压为29V,适用于需要在电路中维持恒定29V电压的场景,例如电源稳压、信号调理电路等。 2. 过压保护 - 在电子设备中,该二极管可以用于保护敏感元件免受过压冲击。当输入电压超过29V时,齐纳二极管会导通并将电压钳位在29V左右,从而保护后级电路。 3. 基准电压源 - SZMMSZ5229BT1G可以用作高精度的基准电压源,特别是在需要稳定29V参考电压的应用中,例如运放电路、比较器电路或ADC/DAC校准电路。 4. 信号电平调整 - 在通信和信号处理领域,齐纳二极管可用于将信号电平限制在特定范围内,确保信号不会超出预定值,从而避免失真或损坏。 5. 浪涌抑制 - 该器件能够吸收瞬态电压浪涌,适用于工业控制、汽车电子或其他存在高压瞬变的环境,帮助提高系统的可靠性和稳定性。 6. 电池管理 - 在电池充电或监控系统中,SZMMSZ5229BT1G可以用来检测和控制电池电压,确保其在安全范围内工作。 总结 SZMMSZ5229BT1G凭借其29V的齐纳电压和出色的性能参数,广泛应用于电力电子、消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。它在稳压、保护、基准电压生成等方面发挥着重要作用,同时具备良好的耐用性和可靠性。选择该型号时,需注意其功率耗散能力及工作温度范围,以确保满足具体应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123稳压二极管 ZEN REG 0.5W 4.3V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor SZMMSZ5229BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SZMMSZ5229BT1G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 22 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.9 V |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | SZMMSZ52 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 22 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.3 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |