Datasheet下载- 型号： HAT2165H-EL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2165H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2165H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2165H-EL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HAT2165H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2165H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
瑞萨电子（Renesas Electronics America）的HAT2165H-EL-E是一款单N沟道MOSFET，适用于需要高效功率控制的多种电子设备。该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，使其广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器和电源开关电路，提升电源转换效率，减少能量损耗。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，适用于电动工具、风扇、泵等设备。 3. 负载开关：用于控制电池供电设备中的负载连接与断开，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备。 4. LED照明：作为调光或开关控制元件，用于高亮度LED驱动电路中，提高能效和稳定性。 5. 工业自动化：在PLC、传感器模块和工业控制设备中用于信号切换和功率控制。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、车灯控制模块等对可靠性要求较高的应用场景。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，且具备良好的耐用性和稳定性，适用于中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2165H-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5180pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Ta） |
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