图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: MJB45H11T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

MJB45H11T4G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJB45H11T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB45H11T4G价格参考。ON SemiconductorMJB45H11T4G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 10A 40MHz 2W 表面贴装 D2PAK。您可以下载MJB45H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB45H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJB45H11T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于高电压、大功率场景,其具体应用场景包括但不限于以下几种:

 1. 电源管理
   - MJB45H11T4G 可用于开关电源(SMPS)、线性稳压器等电源管理系统中,作为开关或放大元件。其高耐压能力(高达 800V)使其适合处理高压输入环境。

 2. 电机驱动与控制
   - 在工业自动化和家电领域,该晶体管可用于驱动直流电机或步进电机。它能够承受较高的电流和电压,适用于需要大功率输出的电机控制电路。

 3. 继电器驱动
   - MJB45H11T4G 能够驱动电磁继电器或其他电磁设备。其高电流承载能力(集电极电流可达 10A)确保了对负载的有效控制。

 4. 逆变器与转换器
   - 在太阳能逆变器或 DC-DC 转换器中,该晶体管可用作开关元件,实现高效的能量转换。其快速开关特性有助于降低能耗并提高系统效率。

 5. 灯泡与加热器控制
   - 该晶体管可用于控制高功率灯泡或加热元件,例如卤素灯、红外加热器等。其高功率处理能力使其能够稳定地调节负载电流。

 6. 音频功率放大
   - 在某些音频应用中,MJB45H11T4G 可用作功率放大器中的输出级晶体管,提供足够的驱动能力以推动扬声器。

 7. 保护电路
   - 该晶体管还可用于过流保护、短路保护等电路中,通过其高耐压和大电流特性来增强系统的可靠性。

 总结
MJB45H11T4G 的主要优势在于其高耐压(800V)、大电流(10A)以及较低的饱和电压,这使得它非常适合应用于需要高功率、高效率的场景。在设计时需注意散热管理,以确保其长期稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK-3两极晶体管 - BJT 8A 80V 50W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJB45H11T4G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

MJB45H11T4G

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 400mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 4A,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

MJB45H11T4GOSCT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

40 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

TO-263-3 (D2PAK)

工厂包装数量

800

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

50 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

10 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

10µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

60

系列

MJB45H11

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

5 V

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

10 A

频率-跃迁

40MHz

MJB45H11T4G 相关产品

MJE802G

品牌:ON Semiconductor

价格:

MJ11012G

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SC2712-Y,LF

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

BCX5216TA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

BCW60B

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC107

品牌:Central Semiconductor Corp

价格:

2N3584

品牌:Central Semiconductor Corp

价格:

FZT1151ATC

品牌:Diodes Incorporated

价格: