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MJB45H11T4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJB45H11T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB45H11T4G价格参考。ON SemiconductorMJB45H11T4G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 10A 40MHz 2W 表面贴装 D2PAK。您可以下载MJB45H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB45H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJB45H11T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于高电压、大功率场景,其具体应用场景包括但不限于以下几种: 1. 电源管理 - MJB45H11T4G 可用于开关电源(SMPS)、线性稳压器等电源管理系统中,作为开关或放大元件。其高耐压能力(高达 800V)使其适合处理高压输入环境。 2. 电机驱动与控制 - 在工业自动化和家电领域,该晶体管可用于驱动直流电机或步进电机。它能够承受较高的电流和电压,适用于需要大功率输出的电机控制电路。 3. 继电器驱动 - MJB45H11T4G 能够驱动电磁继电器或其他电磁设备。其高电流承载能力(集电极电流可达 10A)确保了对负载的有效控制。 4. 逆变器与转换器 - 在太阳能逆变器或 DC-DC 转换器中,该晶体管可用作开关元件,实现高效的能量转换。其快速开关特性有助于降低能耗并提高系统效率。 5. 灯泡与加热器控制 - 该晶体管可用于控制高功率灯泡或加热元件,例如卤素灯、红外加热器等。其高功率处理能力使其能够稳定地调节负载电流。 6. 音频功率放大 - 在某些音频应用中,MJB45H11T4G 可用作功率放大器中的输出级晶体管,提供足够的驱动能力以推动扬声器。 7. 保护电路 - 该晶体管还可用于过流保护、短路保护等电路中,通过其高耐压和大电流特性来增强系统的可靠性。 总结 MJB45H11T4G 的主要优势在于其高耐压(800V)、大电流(10A)以及较低的饱和电压,这使得它非常适合应用于需要高功率、高效率的场景。在设计时需注意散热管理,以确保其长期稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK-3两极晶体管 - BJT 8A 80V 50W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJB45H11T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | MJB45H11T4G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | MJB45H11T4GOSCT |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 40 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | TO-263-3 (D2PAK) |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 50 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 10 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
系列 | MJB45H11 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 1 V |
集电极连续电流 | 10 A |
频率-跃迁 | 40MHz |