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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJ11012G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJ11012G价格参考。ON SemiconductorMJ11012G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJ11012G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJ11012G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MJ11012G是一款PNP型双极结型晶体管(BJT),主要用于高功率放大和开关应用。该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性,适合在要求高可靠性和高稳定性的电路中使用。 MJ11012G的典型应用场景包括: 1. 音频功率放大器:常用于音响系统的末级功率放大电路中,提供高保真音频输出,尤其在发烧级功放和专业音响设备中较为常见。 2. 电源开关电路:由于其高电流和高电压承受能力,适用于开关电源、电机驱动和继电器控制等需要大功率开关的场合。 3. 工业控制设备:用于工业自动化系统中的功率控制模块,如伺服电机控制、加热元件控制等。 4. 高保真和高可靠性电子设备:如测试仪器、医疗设备和通信设备中,用于关键的模拟信号放大或功率调节电路。 5. 汽车电子系统:可用于汽车音响、电动机控制等需要高稳定性和耐高温能力的环境中。 该晶体管通常需配合良好的散热片使用,以确保在高功率工作状态下的稳定性和寿命。由于其优异的性能,MJ11012G在模拟功率电路设计中被广泛采用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 30A 60V TO-3达林顿晶体管 30A 60V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJ11012G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJ11012G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 4V @ 300mA,30A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 20A,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 其它名称 | MJ11012G-ND |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-204AA,TO-3 |
| 封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 30 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 30A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200, 1000 |
| 系列 | MJ11012 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 30 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |