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2N4922G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4922G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4922G价格参考。ON Semiconductor2N4922G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 1A 3MHz 30W 通孔 TO-225AA。您可以下载2N4922G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N4922G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N4922G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关和放大元件。以下是其典型应用场景: 1. 信号放大:2N4922G 可用于音频或其他低频信号的放大,例如在音响设备、收音机或通信系统中作为前置放大器或功率放大器的一部分。 2. 开关应用:由于其良好的开关特性,2N4922G 常被用作电子开关,在数字电路、继电器驱动、LED 驱动以及电机控制等场合中实现通断功能。 3. 电源管理:在一些简单的稳压电路或电流限制电路中,该晶体管可以用作关键组件来调节输出电压或保护负载免受过流损害。 4. 脉冲生成与处理:利用其快速响应能力,2N4922G 能够参与构建振荡器、定时器及脉宽调制(PWM)电路,适用于工业自动化、家用电器等领域。 5. 传感器接口:将微弱的传感信号进行放大以便后续处理,比如温度、压力或光敏传感器的数据采集系统中。 需要注意的是,在选择具体应用时,应根据实际需求检查2N4922G 的电气参数是否满足要求,如集电极-发射极间最大电压、连续集电极电流、增益(hFE)等,并确保工作条件在其安全操作范围内。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS NPN GP 1A 60V HP TO225AA两极晶体管 - BJT 3A 60V 30W NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N4922G- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N4922G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 500mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-225AA |
其它名称 | 2N4922GOS |
功率-最大值 | 30W |
包装 | 散装 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
封装/箱体 | TO-225-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 30 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | 2N4922 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
集电极连续电流 | 3 A |
频率-跃迁 | 3MHz |