Datasheet下载- 型号： BCW65ALT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BCW65ALT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW65ALT1G价格参考。ON SemiconductorBCW65ALT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BCW65ALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BCW65ALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCW65ALT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种 NPN 型晶体管，广泛应用于各种电子电路中，主要用于信号放大和开关功能。以下是 BCW65ALT1G 的一些典型应用场景： 1. 信号放大 - BCW65ALT1G 可用于音频信号放大器中，例如耳机放大器或低功率扬声器驱动电路。 - 在工业控制领域，可以用来放大传感器的微弱信号，以便后续处理。 2. 开关应用 - 作为电子开关，BCW65ALT1G 能够控制负载（如 LED、小型继电器或电机）的通断。 - 在电源管理中，可以用作低压降开关，实现简单的直流电压控制。 3. 电平转换 - 在数字电路与模拟电路之间，BCW65ALT1G 可以用作电平转换器，将低电压信号转换为高电压信号，或者反之。 4. 电流检测与保护 - 在过流保护电路中，BCW65ALT1G 可以用来检测电流并触发保护机制，防止电路过载。 - 适用于电池管理系统中的电流监控。 5. 脉宽调制 (PWM) 驱动 - BCW65ALT1G 可以用于 PWM 控制电路，例如驱动小型风扇、LED 灯条或步进电机。 6. 通信设备 - 在低频通信设备中，BCW65ALT1G 可用于信号调制和解调电路。 特性总结 - 工作电压：适合低电压应用（VCEO = 80V）。 - 电流能力：最大集电极电流为 1.5A，适用于中小功率场景。 - 高频性能：具有较高的过渡频率（ft = 300 MHz），适合高频应用。 - 封装形式：SOT-23 小型封装，便于表面贴装设计。 总的来说，BCW65ALT1G 是一款性能稳定、应用广泛的 NPN 晶体管，适用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCW65ALT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BCW65ALT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BCW65ALT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 800mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 20nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
| 系列 | BCW65AL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
| 集电极连续电流 | 0.8 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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