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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1207S-AE由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1207S-AE价格参考。ON Semiconductor2SD1207S-AE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD1207S-AE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1207S-AE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SD1207S-AE的晶体管由ON Semiconductor生产,属于双极型晶体管(BJT)类别,是一款NPN型晶体管。该器件广泛应用于中功率放大和开关电路中。 该晶体管常用于以下应用场景: 1. 电源管理电路:作为开关元件,用于DC-DC转换器、稳压器和电源控制模块中,具有较高的电流承载能力和稳定性。 2. 电机驱动电路:在小型电机或风扇控制电路中,用于驱动负载,具备良好的耐压和热稳定性。 3. 继电器或LED驱动:用于控制继电器线圈或高亮度LED的开关操作,适合中等功率负载的应用。 4. 音频放大电路:作为前置放大或推动级使用,适用于低频音频放大器中,提供良好的信号增益。 5. 工业控制设备:在PLC、传感器接口、自动控制系统中作为信号放大或隔离元件。 该晶体管采用SOT-89封装,具备良好的散热性能,适合表面贴装,广泛应用于工业、消费电子及汽车电子领域。其高可靠性和性价比使其成为多种中功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPO 2A 50V 3MP两极晶体管 - BJT BIP NPN 2A 50V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1207S-AE- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SD1207S-AE |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 50mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-MP |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 150 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
系列 | 2SD1207 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.15 V |
集电极连续电流 | 2 A |
频率-跃迁 | 150MHz |