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FDD770N15A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD770N15A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD770N15A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD770N15A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 56.8W(Tc) D-Pak。您可以下载FDD770N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD770N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD770N15A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDD770N15A 的高击穿电压(150V)使其适用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。 - DC-DC 转换器:可用于高效能 DC-DC 转换电路,提供低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.38Ω),从而减少功率损耗。 - 负载开关:在需要快速切换负载的场景中,该器件能够实现高效的电流控制。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于驱动步进电机、直流无刷电机(BLDC)或其他低功率电机,提供精确的电流和电压控制。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制,支持正转和反转功能。 3. 工业自动化 - 继电器替代:在工业控制系统中,可以用作固态继电器,取代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 - 传感器接口:用于驱动工业传感器或信号放大,确保稳定的工作性能。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等需要低功耗和高可靠性的应用。 - LED 照明驱动:用于汽车 LED 灯条或尾灯的驱动电路,提供稳定的电流输出。 5. 消费电子产品 - 电池管理系统 (BMS):用于保护锂电池或其他可充电电池组,防止过流、短路或过充。 - 音频设备:在音响或扬声器系统中用作功率放大器的开关元件。 6. 通信设备 - 信号调制与解调:在通信模块中,用于高频信号的处理和放大。 - 网络设备电源:为路由器、交换机等网络设备提供稳定的电源管理方案。 总结 FDD770N15A 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景。其低导通电阻和高击穿电压特性,使其成为许多电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 150V 18A DPAKMOSFET 150V/18V N Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD770N15APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD770N15A |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 56.8 W |
| Pd-功率耗散 | 56.8 W |
| Qg-GateCharge | 8.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 61 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 61 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 3.1 ns |
| 下降时间 | 2.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 765pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 77 毫欧 @ 12A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD770N15ADKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15.8 ns |
| 功率-最大值 | 56.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 61 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 系列 | FDD770N |
| 配置 | Single |