ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDMS7682
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDMS7682产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7682由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7682价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7682封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),22A(Tc) 2.5W(Ta),33W(Tc) 8-PQFN(5x6)。您可以下载FDMS7682参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS7682 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS7682 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 FDMS7682 适合用于 DC-DC 转换器、降压或升压转换器等电源管理电路中。其低导通电阻特性可以减少功率损耗,提高效率,适用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费类电子产品的电源设计。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机驱动电路,例如风扇、无人机电机或家用电器中的电机控制。其快速开关能力和低功耗使其成为高效电机驱动的理想选择。 3. 负载开关 在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中,FDMS7682 可用作负载开关,实现对不同负载的快速开启和关闭,同时降低静态电流消耗。 4. 电池管理系统 (BMS) 该 MOSFET 可用于锂电池保护电路中,作为充放电路径的开关元件,确保电池的安全运行和高效管理。 5. 通信设备 FDMS7682 的高性能特性使其适合用于通信设备中的信号调节和功率放大电路,例如基站、路由器和其他网络设备。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,该器件可用于车身控制模块(BCM)、LED 照明驱动以及辅助系统的功率管理中,提供可靠且高效的开关功能。 总之,FDMS7682 凭借其优异的电气特性和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,能够满足各种高效功率转换和开关需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 22A POWER56MOSFET 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7682PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS7682 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 33 W |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| Qg-GateCharge | 9.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1885pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.3 毫欧 @ 14A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS7682DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 90 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PQFN,Power56 |
| 封装/箱体 | Power 56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta), 22A (Tc) |
| 系列 | FDMS7682 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |