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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF9Z34NSTRR是一款P沟道增强型MOSFET晶体管。它属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别,具有以下应用场景: 1. 电源管理: IRF9Z34NSTRR适用于各种电源管理系统,例如直流-直流转换器(DC-DC converters)、开关电源(SMPS)和负载切换电路。其低导通电阻(Rds(on))特性可减少功率损耗,提高效率。 2. 电机控制: 在小型电机驱动应用中,该MOSFET可用于实现高效的开关控制。例如,它可以用于风扇、泵或小型伺服电机的启停和速度调节。 3. 电池保护与管理: 由于其P沟道特性,IRF9Z34NSTRR非常适合用作电池保护电路中的高侧开关,以防止过流、过压或短路等问题。 4. 逆变器与太阳能系统: 在小型逆变器或太阳能充电控制器中,这款MOSFET可以作为关键开关元件,用于能量转换和传输。 5. 信号切换: 它可用于音频设备或其他需要高速信号切换的应用场景,确保低噪声和高可靠性。 6. 汽车电子: 该器件符合车规级标准,适用于车载电子设备,如灯光控制、电动座椅调节、中央锁系统等。 7. 家用电器: 在家电领域,IRF9Z34NSTRR可用于控制加热元件、冷却系统或其他需要功率调节的功能模块。 总体而言,IRF9Z34NSTRR凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及绿色能源等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF9Z34NSTRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |