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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK100S04N1L,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK100S04N1L,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK100S04N1L,LQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK100S04N1L,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK100S04N1L,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK100S04N1L,LQ 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 晶体管 - FET,MOSFET - 单 类别,主要应用于以下场景: 该MOSFET具备较高的电流和电压承受能力,适合用于 电源管理与转换系统,如 DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电源供应器 等。其低导通电阻(Rds(on))特性可降低功率损耗,提高能效,适用于 高效率开关电源设计。 此外,该器件常用于 电机驱动电路、负载开关、电池管理系统(BMS) 以及 工业自动化设备 中的功率控制模块。在 电动车、储能系统、智能家电 等领域也有广泛应用,特别是在需要 高可靠性和高效能功率控制 的场合。 由于其封装形式适合表面贴装,也适用于高密度电路板设计,有助于实现设备的小型化与轻量化。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 40V DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK100S04N1L |
产品图片 | |
产品型号 | TK100S04N1L,LQ |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 500µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5490pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 76nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 50A,10V |
供应商器件封装 | DPAK+ |
其它名称 | TK100S04N1LLQDKR |
功率-最大值 | 100W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Ta) |