ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列 > SS8P6C-M3/86A
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SS8P6C-M3/86A由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SS8P6C-M3/86A价格参考¥1.50-¥1.50。VishaySS8P6C-M3/86A封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 4A Surface Mount TO-277, 3-PowerDFN。您可以下载SS8P6C-M3/86A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SS8P6C-M3/86A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 SS8P6C-M3/86A 是一款二极管整流器阵列,适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电源管理 SS8P6C-M3/86A 常用于开关电源(SMPS)中,作为次级侧整流器。它可以将变压器输出的交流电压转换为稳定的直流电压,适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源模块。 2. 逆变器和电机驱动 在逆变器和电机驱动电路中,SS8P6C-M3/86A 可以用于箝位二极管或续流二极管,防止反向电动势对电路造成损坏。它能够快速响应并吸收电感性负载产生的瞬态电压,确保系统的稳定性和安全性。 3. 太阳能光伏系统 在太阳能光伏系统中,SS8P6C-M3/86A 可用于最大功率点跟踪(MPPT)控制器中的整流部分,将光伏板产生的电流进行高效转换,提高能量利用率。此外,它还可以用于旁路二极管,保护光伏模块免受阴影遮挡或其他异常情况的影响。 4. 通信设备 在通信基站、路由器和其他网络设备中,SS8P6C-M3/86A 可用于电源模块的整流和滤波,确保设备在各种环境条件下都能获得稳定的电源供应。其低正向压降特性有助于减少功耗,提高能效。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中,SS8P6C-M3/86A 可用于车载充电器、DC-DC 转换器以及电池管理系统中的整流和保护电路。它具有较高的浪涌电流承受能力,能够在车辆启动时承受较大的冲击电流,确保系统的可靠运行。 6. 工业自动化 在工业自动化领域,SS8P6C-M3/86A 可用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等设备的电源部分,提供稳定的直流电源。其高可靠性设计使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 总之,SS8P6C-M3/86A 凭借其高效的整流性能、低功耗和高可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合需要高效能、高稳定性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 4A TO277A肖特基二极管与整流器 8.0 Amp 60 Volt |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors SS8P6C-M3/86AeSMP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SS8P6C-M3/86ASS8P6C-M3/86A |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 700mV @ 4A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-277A |
| 其它名称 | SS8P6C-M3/86AGIDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
| 封装/箱体 | SMPC (TO-277A) |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 120 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.7 V at 4 A |
| 正向连续电流 | 8 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 60V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 4A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Dual Common Cathode |