ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDPF18N50
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Datasheet下载- 型号： FDPF18N50
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF18N50由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF18N50价格参考￥9.49-￥17.61。Fairchild SemiconductorFDPF18N50封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF18N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF18N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDPF18N50是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FDPF18N50常用于开关电源中的功率转换部分，作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻和快速开关特性能够有效减少开关损耗，提高电源效率。适用于AC-DC、DC-DC转换器等场景。 2. 电机驱动 该MOSFET适合用于驱动中小型电机，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）等。其高耐压（500V）和大电流能力（18A）确保了在高压环境下也能稳定工作，适用于电动工具、家用电器等领域。 3. 逆变器 FDPF18N50可用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中，作为逆变电路的关键元件。其优异的开关性能有助于实现高效的能量转换，同时保证系统的可靠性和稳定性。 4. 电磁兼容性 (EMC) 设备 在需要高频率开关操作的EMC测试设备中，FDPF18N50可以作为信号发生器或负载模拟器的核心元件，提供稳定的开关特性，帮助工程师进行电磁兼容性测试。 5. 电池管理系统 (BMS) 在电动汽车、储能系统等应用中，FDPF18N50可用于电池管理系统的保护电路中，起到过流保护、短路保护等作用。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高系统的安全性和可靠性。 6. 工业自动化 FDPF18N50也广泛应用于工业自动化控制系统中，如PLC、传感器接口等。它可以用作开关元件，控制各种执行器的动作，确保系统的精确控制和高效运行。 总之，FDPF18N50凭借其高性能、高可靠性和广泛的适用性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FMOSFET 500V N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF18N50UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF18N50 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 38.5 W |
| Pd-功率耗散 | 38.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 265 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 265 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 165 ns |
| 下降时间 | 90 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 265 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 功率-最大值 | 38.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | FDPF18N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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