ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > FZT753TA
Datasheet下载- 型号： FZT753TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT753TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT753TA价格参考￥2.74-￥3.77。Diodes Inc.FZT753TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 2A 140MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载FZT753TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FZT753TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT753TA 是德州仪器（Texas Instruments）旗下的一款 PNP 型双极结型晶体管（BJT），但需注意：该型号实际由 Diodes Incorporated（美台半导体）设计并量产，TI 并未官方发布或主推 FZT753TA。市场上部分分销渠道可能将其归类于 TI 产品线，属常见误标或历史兼容性混淆，用户应以器件本体丝印及官方数据手册为准（Diodes Inc. 的 Datasheet 编号：FZT753TA）。 该器件为 SOT-23 表贴封装、高增益（hFE 典型值 250@IC=10mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V@IC=100mA）、最大集电极电流 IC = 500mA，适用于中低功率开关与线性放大场景。典型应用包括： - 电源管理中的负载开关或反相器（如 MCU GPIO 驱动继电器、LED 或小型蜂鸣器）； - 电池供电设备中的电池电压检测电路或电源路径控制； - 消费电子（如便携音频设备、智能穿戴）中的信号电平转换与小信号放大； - 工业传感器接口电路中作为电流吸收型开关（因 PNP 结构适合高侧关断/低侧导通配置）。 其SOT-23封装利于高密度PCB布局，配合较低功耗特性，适用于对尺寸和能效有要求的便携式与嵌入式系统。选型时需注意其PNP极性与NPN器件驱动逻辑相反，设计中应校验基极驱动能力及热耗散（建议在IC > 200mA时加强散热）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP -100V -2000MA SOT-223两极晶体管 - BJT PNP Medium Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT753TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FZT753TA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | FZT753TR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 70 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 at 50 mA at 2 V, 100 at 500 mA at 2 V, 55 at 1 A at 2 V, 25 at 2 A at 2 V |
| 系列 | FZT753 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.3 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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