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  • 型号: IRFR4105ZTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR4105ZTRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105ZTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105ZTRPBF价格参考。International RectifierIRFR4105ZTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 48W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR4105ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR4105ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR4105ZTRPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),并且是单通道设计。以下是该型号的应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):IRFR4105ZTRPBF 的低导通电阻和高效率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关,帮助实现高效的电压转换。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压 DC-DC 转换器中,这款 MOSFET 可作为主开关或同步整流器,提供稳定的电流输出。
   - 负载开关:在需要快速切换负载的场景中,该器件可以实现低损耗的开关操作。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC):在小型电机控制中,IRFR4105ZTRPBF 可用作功率级的一部分,驱动电机并实现高效的能量传输。
   - 风扇和泵控制:适用于家用电器、工业设备中的风扇和水泵驱动,提供可靠且节能的解决方案。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电池保护电路中,该 MOSFET 可用于充放电路径的控制,防止过流、短路等问题,同时减少能量损耗。
   - 支持锂离子电池组的均衡功能,确保电池健康和寿命。

 4. 汽车电子
   - 车载充电器 (OBC):在电动汽车或混合动力汽车中,该器件可用于车载充电器的功率转换部分。
   - LED 照明驱动:为汽车内部或外部 LED 灯提供稳定电流,保证照明效果。
   - 电动助力转向 (EPS):作为功率级元件,支持 EPS 系统的高效运行。

 5. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑适配器:用于便携式设备的适配器中,提供高效的功率转换。
   - 智能家居设备:如智能灯泡、智能插座等,利用其低功耗特性实现更长的使用寿命。

 6. 工业应用
   - 可编程逻辑控制器 (PLC):在工业自动化系统中,该 MOSFET 可用于驱动继电器、传感器或其他负载。
   - 太阳能逆变器:在小型光伏系统中,用于将直流电转换为交流电,提高能源利用率。

 总结
IRFR4105ZTRPBF 凭借其出色的电气性能(如低 Rds(on)、高耐压能力等),广泛应用于各种需要高效功率转换和低损耗的场景。无论是消费电子、汽车电子还是工业领域,它都能满足多样化的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 30A DPAKMOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4105ZTRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFR4105ZTRPBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

48 W

Pd-功率耗散

48 W

Qg-GateCharge

27 nC

Qg-栅极电荷

27 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

24.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

24.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

40 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

740pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

24.5 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRFR4105ZTRPBF
IRFR4105ZPBFCT
IRFR4105ZPBFCT-ND

功率-最大值

48W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

16 S

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

配置

Single

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