Datasheet下载- 型号： TK7J90E,S1E
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK7J90E,S1E由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK7J90E,S1E价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK7J90E,S1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK7J90E,S1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK7J90E,S1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK7J90E, S1E 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效、高速开关性能的电子电路中。 该器件常用于以下场景： 1. 电源管理设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能转换和调节电压。 2. 电机驱动电路：在电动工具、电动车或工业自动化设备中，作为电机控制开关，具备快速响应和耐高压电流特性。 3. 照明系统：如LED驱动电源中，用于稳定电流和提高能效。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、游戏机等内部电源管理模块中。 5. 汽车电子：用于车载充电系统、辅助电机控制等场景，具备良好的稳定性和可靠性。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压（900V）和适合高频工作的特性，适用于要求高效率和小型化设计的电路应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V TO-3PN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK7J90E |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TK7J90E,S1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 700µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 其它名称 | TK7J90E,S1E(S |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 150 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Ta） |
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