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- 型号： FQU6N25TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU6N25TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU6N25TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU6N25TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU6N25TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU6N25TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU6N25TU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要用于中高功率的开关应用。其应用场景主要包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源系统中，作为高效的开关元件使用。 2. 电机控制：可用于电机驱动电路中，实现对直流电机、步进电机或无刷电机的开关控制。 3. 负载开关：在工业控制、自动化设备中作为电子负载开关，控制高电流负载的通断。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器、变频器系统中用于功率转换与调节。 5. 照明系统：应用于LED照明驱动或高强度放电灯（HID）镇流器等场合。 6. 电池管理系统：在电池充放电管理电路中，作为功率控制开关使用。 该MOSFET具备较高的耐压（250V）和良好的导通电阻特性，适合在中等功率、高频开关环境下使用，广泛应用于工业设备、消费类电子产品及汽车电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU6N25TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Tc） |
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