ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD31CT4G
Datasheet下载- 型号： MJD31CT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD31CT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD31CT4G价格参考￥1.13-￥1.30。ON SemiconductorMJD31CT4G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 3A 3MHz 1.56W 表面贴装 DPAK。您可以下载MJD31CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD31CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD31CT4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于功率放大和开关应用的通用器件。该器件采用SOT-223封装，具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于中等功率场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：常用于线性稳压器、DC-DC转换器中的通流或驱动元件，实现电压调节与电流控制。 2. 功率开关：适用于继电器驱动、电机启停控制、LED照明调光等需要大电流开关功能的场合。 3. 信号放大：在音频或低频信号处理电路中作为前置放大或驱动级使用。 4. 消费类电子设备：如电视、机顶盒、充电器、家电控制板等，用于实现负载控制与电源切换。 5. 工业控制：在PLC模块、传感器驱动、电磁阀控制等工业环境中承担开关与缓冲功能。 MJD31CT4G具备高耐压（VCEO=300V）、大集电极电流（IC=1A）的特点，并通过了无铅认证（后缀“G”表示符合RoHS），适合对可靠性和环保要求较高的设计。其SOT-223封装便于散热，可有效提升在持续工作条件下的稳定性，广泛应用于中小功率模拟与数字电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD31CT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD31CT4G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 3A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD31CT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1.56 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 |
| 系列 | MJD31C |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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