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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STH110N10F7-6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH110N10F7-6价格参考。STMicroelectronicsSTH110N10F7-6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STH110N10F7-6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH110N10F7-6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STH110N10F7-6 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有以下特性:漏源电压(VDS)为 100V,连续漏极电流(ID)为 11A(在 25°C 时),导通电阻(RDS(on))低至 0.34Ω(典型值)。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS) - STH110N10F7-6 可用于开关电源中的功率转换电路,例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻和快速开关能力有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。其耐高压特性和较低的导通电阻使其能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载切换 - 在需要频繁切换负载的应用中,如汽车电子、工业自动化设备等,STH110N10F7-6 能够可靠地实现负载的开启和关闭,同时保持低功耗。 4. 电池管理 - 在电池管理系统 (BMS) 中,这款 MOSFET 可用作充电/放电路径上的开关,确保电池的安全运行,并支持过流保护和短路保护功能。 5. 逆变器 - 该器件可用于小型逆变器的设计,将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变器应用。 6. 照明系统 - 在 LED 驱动电路中,STH110N10F7-6 可作为开关元件,提供稳定的电流输出以驱动高亮度 LED 或 LED 灯条。 7. 消费类电子产品 - 包括打印机、扫描仪、家用电器等需要功率控制的场景,这款 MOSFET 提供了紧凑且高效的解决方案。 总结 STH110N10F7-6 的高性能参数和可靠性使其成为多种功率电子应用的理想选择,特别是在需要高效功率转换和控制的场合下表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STH110N10F7-6 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5117pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 55A, 10V |
供应商器件封装 | H²PAK |
其它名称 | 497-13837-6 |
功率-最大值 | 150W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |