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STW26NM60ND产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW26NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW26NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW26NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 190W(Tc) TO-247。您可以下载STW26NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW26NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW26NM60ND是一款N沟道MOSFET,具有600V的额定电压和26A的连续漏极电流能力。其应用场景广泛,主要集中在需要高电压、高效能开关的电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): STW26NM60ND适用于开关电源中的功率开关器件,能够实现高效的AC-DC或DC-DC转换。其低导通电阻(典型值为3.7Ω)有助于减少功率损耗,提高整体效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于工业控制和家用电器中的电机驱动电路,例如空调压缩机、洗衣机、风扇等。其高电压耐受能力和快速开关特性使其适合驱动各种类型的电机。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,STW26NM60ND可以作为功率开关,用于将直流电转换为交流电。其耐用性和稳定性确保了在恶劣环境下的可靠运行。 4. 电磁阀和继电器驱动: 由于其能够承受高电压和大电流,该器件非常适合用于驱动电磁阀和继电器,常见于工业自动化和汽车应用中。 5. 电动车和混合动力车(EV/HEV): 在电动车和混合动力车的辅助系统中,如电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器和车载充电器,STW26NM60ND可以提供高效且可靠的开关性能。 6. 家电和消费电子产品: 在需要高压开关的应用中,如电视机的背光驱动、投影仪电源模块等,该MOSFET也能发挥重要作用。 总的来说,STW26NM60ND凭借其高电压、低损耗和快速开关的特点,广泛应用于工业、汽车、消费电子和可再生能源等领域,满足各种高效率、高可靠性需求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247MOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW26NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW26NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 54.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 54.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 14.5 ns |
| 下降时间 | 27.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1817pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 175 毫欧 @ 10.5A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-14225-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 69 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
| 系列 | STW26NM60ND |
| 配置 | Single |