图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FQPF11N50CF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FQPF11N50CF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF11N50CF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF11N50CF价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF11N50CF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 48W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF11N50CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF11N50CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF11N50CF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FQPF11N50CF 的高电压耐受能力(500V Vds)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如降压或升压转换器。
   - 它的低导通电阻(Rds(on) = 2.4 Ω,典型值)有助于减少功率损耗,提高效率。

 2. 电机驱动
   - 在工业控制和消费电子领域中,该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。
   - 高压特性使其能够适应更高电压的电机驱动电路。

 3. 逆变器
   - 适用于太阳能微型逆变器或其他小型逆变器系统,用作高频开关元件。
   - 其快速开关特性和低栅极电荷(Qg = 28 nC,典型值)有助于实现高效的能量转换。

 4. 电磁阀和继电器驱动
   - 在工业自动化设备中,FQPF11N50CF 可用于驱动电磁阀或继电器,提供可靠的高压切换功能。

 5. 负载开关
   - 在需要高压负载切换的应用中,例如汽车电子或工业设备,该 MOSFET 可作为高效的负载开关。

 6. 保护电路
   - 用于过流保护、短路保护或反向电池保护等场景,利用其快速响应能力和耐用性。

 7. 家电与照明
   - 在家用电器中,如风扇、水泵或 LED 照明驱动电路中,该 MOSFET 可提供稳定的性能和高效能表现。

 总结
FQPF11N50CF 的主要优势在于其高耐压能力、较低的导通电阻以及快速开关特性,这使得它在需要高压、高效能和可靠性的应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FMOSFET 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET)

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF11N50CFFRFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQPF11N50CF

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

48 W

Pd-功率耗散

48 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

550 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

550 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

70 ns

下降时间

75 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2055pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

55nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 5.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

120 ns

功率-最大值

48W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

FQPF11N50CF

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQPF11N50CF_NL

推荐商品

型号:STP32NM50N

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTTFS5820NLTWG

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFL9110

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STP5NK50Z

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PSMN1R7-60BS,118

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IPD600N25N3GBTMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FQU7P20TU

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOTF12N60

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FQPF11N50CF 相关产品

SI7454DP-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FQP6N60C_F080

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRF9Z34NSTRLPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥2.40-¥2.73

SI5499DC-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRFI4110GPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRL3103LPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

MMFT960T1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRF1404ZSTRR

品牌:Infineon Technologies

价格: