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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDME905PT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDME905PT价格参考。Fairchild SemiconductorFDME905PT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDME905PT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDME905PT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDME905PT 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET器件,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET),常用于高效率电源管理系统中。该型号为N沟道增强型MOSFET,封装形式为DPAK(TO-252),适用于中高功率应用。 其主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:广泛应用于各类开关电源中的降压或升压电路,实现电压变换和稳压功能。 2. 负载开关与电源管理:在电池供电设备、工业控制系统中作为高效开关使用,控制电源通断。 3. 电机驱动电路:用于小型电机、风扇或执行机构的驱动模块中,具备良好的导通特性和耐压能力。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等系统中用于电能转换。 5. 汽车电子:如车载充电器、LED照明驱动等场景,因其具有较高的可靠性和温度稳定性。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优良的热性能,适合高频开关操作,有助于提高系统效率并减小散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6-UMLPMOSFET -12V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDME905PTPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDME905PT |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.7 W |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2315pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 8A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MicroFet 1.6x1.6 |
| 其它名称 | FDME905PTFSTR |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 22 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 1.6x1.6 Thin |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Ta) |
| 系列 | FDME905PT |
| 配置 | Single |