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  • 型号: PSMN1R7-60BS,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN1R7-60BS,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R7-60BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R7-60BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R7-60BS,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK。您可以下载PSMN1R7-60BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R7-60BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia的PSMN1R7-60BS,118是一款60V、1.7mΩ(典型值)的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具备低导通电阻、高电流能力(ID可达120A)和优异的热性能。其主要应用场景包括:  
- 电源管理:用于服务器/通信设备中的同步整流DC-DC转换器(如POL模块)、VRM/VRD电源,提升转换效率;  
- 电机驱动:适用于工业与家电中的中小功率BLDC电机控制(如风扇、泵、电动工具)的H桥或半桥下管;  
- 负载开关:在笔记本电脑、工控主板中作为高效、低损耗的主电源开关或热插拔保护器件;  
- 电池管理系统(BMS):用于电动自行车、储能系统中的充放电回路保护与均衡控制;  
- 照明驱动:LED恒流驱动电路中的PWM调光开关管,兼顾快速开关与低功耗。  
该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th)低至1.0–2.1V),可直接由3.3V/5V MCU驱动,简化外围设计;同时具备AEC-Q101认证(车规级),亦可用于车载辅助系统(如车身控制模块、车载充电接口)。其高可靠性、小尺寸封装及强抗雪崩能力,使其在高密度、高效率、高可靠性要求的中高功率应用中表现突出。(字数:498)
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R7-60BS,118-

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产品型号

PSMN1R7-60BS,118

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

306 W

Pd-功率耗散

306 W

RdsOn-漏源导通电阻

2 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9997pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

137nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9476-6

功率-最大值

306W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

120 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

配置

Single

零件号别名

PSMN1R7-60BS

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