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PSMN1R7-60BS,118产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R7-60BS,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R7-60BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R7-60BS,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK。您可以下载PSMN1R7-60BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R7-60BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN1R7-60BS,118是一款60V、1.7mΩ(典型值)的N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具备低导通电阻、高电流能力(ID可达120A)和优异的热性能。其主要应用场景包括: - 电源管理:用于服务器/通信设备中的同步整流DC-DC转换器(如POL模块)、VRM/VRD电源,提升转换效率; - 电机驱动:适用于工业与家电中的中小功率BLDC电机控制(如风扇、泵、电动工具)的H桥或半桥下管; - 负载开关:在笔记本电脑、工控主板中作为高效、低损耗的主电源开关或热插拔保护器件; - 电池管理系统(BMS):用于电动自行车、储能系统中的充放电回路保护与均衡控制; - 照明驱动:LED恒流驱动电路中的PWM调光开关管,兼顾快速开关与低功耗。 该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th)低至1.0–2.1V),可直接由3.3V/5V MCU驱动,简化外围设计;同时具备AEC-Q101认证(车规级),亦可用于车载辅助系统(如车身控制模块、车载充电接口)。其高可靠性、小尺寸封装及强抗雪崩能力,使其在高密度、高效率、高可靠性要求的中高功率应用中表现突出。(字数:498)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R7-60BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R7-60BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9997pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 137nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9476-6 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PSMN1R7-60BS |