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  • 型号: IXTH26P20P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IXTH26P20P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH26P20P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH26P20P价格参考。IXYSIXTH26P20P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 200V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)。您可以下载IXTH26P20P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH26P20P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTH26P20P是一款P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET器件。该器件具有高耐压、大电流承载能力,适用于多种功率电子系统。

 应用场景包括:

1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等,作为功率开关元件,实现高效的能量转换。

2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机或伺服电机控制系统中,作为功率开关控制电机的启停、方向和速度。

3. 逆变器与变频器:用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等设备中,实现直流电到交流电的转换。

4. 工业自动化:在工业控制系统中用于负载开关、继电器替代、电磁阀控制等高可靠性场合。

5. 汽车电子:适用于汽车电源系统、车载充电器、电动工具等需要高可靠性和耐高温能力的环境。

6. 消费类电子产品:如高功率LED驱动、电源适配器等,因其开关速度快、导通损耗低而被广泛采用。

该MOSFET采用TO-247封装,便于散热,适合高功率密度设计,具备良好的热稳定性和耐用性,适合工业级和高要求的商业应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 200V 26A TO-247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXTH26P20P

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PolarP™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2740pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

170 毫欧 @ 13A,10V

供应商器件封装

TO-247 (IXTH)

功率-最大值

300W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

26A (Tc)

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