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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP32P05T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP32P05T价格参考。IXYSIXTP32P05T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTP32P05T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTP32P05T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP32P05T是一款功率MOSFET晶体管,主要应用于需要高效能功率转换与控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于电源管理、电机驱动、逆变器、充电系统及工业自动化设备等场合。其优异的热稳定性和可靠性使其在高温环境下仍能保持良好性能,广泛用于通信电源、UPS不间断电源以及新能源领域如太阳能逆变系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 32A TO-220MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 32 A |
| Id-连续漏极电流 | - 32 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP32P05TTrenchP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTP32P05T |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 46 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 39 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4.5 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1975pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 500mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | TrenchP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |
| 系列 | IXTP32P05 |
| 通道模式 | Enhancement |