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产品简介:
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FQD30N06TF_F080 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - 该 MOSFET 可用于开关电源中的功率开关,适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电路。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少导通损耗,提高效率。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,FQD30N06TF_F080 可作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它的耐压值为 60V,适合低压电机驱动应用。 3. 负载开关 - 用作负载开关,控制电路中不同负载的通断,例如 USB 端口供电、LED 驱动或其他外围设备。 - 其快速开关能力和低导通损耗使其非常适合负载切换应用。 4. 电池管理 - 在电池管理系统中,可用于保护电路,防止过流、短路或反向电流问题。 - 适用于锂电池、镍氢电池等便携式设备的充电和放电管理。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中,作为功率开关使用,将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或家用小功率逆变器。 6. LED 驱动 - 用于 LED 照明驱动电路,调节 LED 的亮度或实现恒流控制。 - 其低导通电阻可降低发热,提高系统效率。 7. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理电路中,可用作信号放大或缓冲元件。 特性总结: - 额定电压:60V,适用于低压系统。 - 额定电流:高达 19A(取决于散热条件)。 - 低导通电阻:通常小于 0.03Ω,减少功率损耗。 - 封装形式:TO-263 (D2PAK),便于散热和安装。 综上所述,FQD30N06TF_F080 适用于需要高效功率开关、低功耗和可靠性能的各种电子设备中,尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子领域的低压应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD30N06TF_F080 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 945pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 11.4A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22.7A (Tc) |