Datasheet下载- 型号： 2N6661JAN02
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6661JAN02由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6661JAN02价格参考。Vishay2N6661JAN02封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N6661JAN02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6661JAN02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 2N6661JAN02 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源开关电路：用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统中，实现高效电能控制。 2. 电机驱动与继电器替代：在电机控制、继电器替代和固态开关中提供快速开关性能，减少机械磨损。 3. 电池供电设备：广泛应用于笔记本电脑、便携式电子设备和电池管理系统中，因其低导通电阻和高效率特性。 4. 汽车电子系统：满足严苛环境下的使用需求，如车身控制模块、车载充电系统等。 5. 工业控制系统：用于工业自动化设备中的功率控制与切换，具备高可靠性和耐久性。 该器件具有高耐用性和良好热稳定性，适合需要高效、小型化设计的电路应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N6661JAN02 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 725mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 90V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 860mA （Tc） |
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