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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB7N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB7N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB7N60TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB7N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB7N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB7N60TM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压和中等电流的开关应用。该器件的耐压为600V,连续漏极电流可达7A,适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于AC-DC转换电路中,作为开关元件,提高转换效率并减小体积。 2. 电机驱动器:适用于小型电机控制电路,如电动工具、风扇和泵的驱动电路。 3. 照明系统:在LED照明驱动电源中,作为主开关管使用,支持高效率和稳定输出。 4. 工业自动化设备:用于各类工业控制电源、继电器驱动和负载开关,具有良好的热稳定性和耐用性。 5. 消费类电子产品:如电视、音响设备中的电源部分,提供高效的电能转换。 该MOSFET采用TO-220封装,散热性能良好,易于安装和替换,适用于多种中功率应用场合。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAKMOSFET 600V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.4 A |
Id-连续漏极电流 | 7.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB7N60TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB7N60TM |
Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
Pd-功率耗散 | 3.13 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 80 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1430pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 3.7A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | FQB7N60TMCT |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.4A (Tc) |
系列 | FQB7N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |