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Datasheet下载- 型号： BGA825L6SE6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BGA825L6SE6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BGA825L6SE6327XTSA1价格参考。InfineonBGA825L6SE6327XTSA1封装/规格：RF 放大器， 射频放大器 IC GPS 1.55GHz ~ 1.615GHz TSLP-6-3。您可以下载BGA825L6SE6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BGA825L6SE6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BGA825L6SE6327XTSA1 是一款高性能的射频（RF）放大器，属于低噪声放大器（LNA）类别，广泛应用于无线通信系统中。该器件主要工作在高频段，具备低噪声系数、高增益和优异的线性度，适用于对信号灵敏度和接收性能要求较高的场景。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和其他移动终端中的蜂窝通信接收链路，如 LTE、5G 等标准；Wi-Fi 6 和 Wi-Fi 6E 无线网络模块中用于提升接收灵敏度；以及物联网（IoT）设备、车联网（V2X）和无线基础设施中的射频前端设计。此外，BGA825L6SE6327XTSA1 还可用于 GPS 和卫星通信等需要高精度定位和稳定信号接收的系统。 该器件采用小型化封装（如WLCSP），适合空间受限的便携式设备，同时具备良好的功耗控制，有助于延长电池寿命。其高集成度和可靠性也使其成为现代紧凑型无线设备的理想选择。总之，BGA825L6SE6327XTSA1 主要服务于高性能、低功耗、小型化的无线通信应用，尤其在移动通信和智能连接设备中发挥关键作用。
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频双极晶体管 Silicon Germanium Low Noise Amplifier |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BGA825L6SE6327XTSA1 |
| 产品型号 | BGA825L6SE6327XTSA1 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 功率耗散 | 72 mW |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TSLP-6 |
| 工厂包装数量 | 15000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作频率 | 1550 MHz to 1615 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 系列 | BGA825L6 |
| 集电极连续电流 | 4.8 mA |
| 零件号别名 | SP001012810 |
| 频率 | 1550 MHz to 1615 MHz |
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