ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDC606P
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Datasheet下载- 型号： FDC606P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC606P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC606P价格参考￥询价-￥询价。Fairchild SemiconductorFDC606P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 6A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC606P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC606P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDC606P是一款P沟道增强型MOSFET，属于低电压、低功耗的场效应晶体管，广泛应用于便携式和电池供电设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于负载开关、电源通断控制电路中，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对功耗敏感的电子产品。 2. 电池供电系统：由于其低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压，适合在3V至5V供电系统中实现高效能电能切换，减少能量损耗。 3. 信号切换与逻辑控制：可用于小信号开关电路或逻辑电平转换，如I²C总线上的电平转换器中的上拉控制。 4. 电机驱动与继电器驱动：作为小型直流电机或继电器的驱动开关，实现低电流控制高负载的开关功能。 5. 消费类电子：常见于笔记本电脑、USB设备、充电器、LED驱动模块等内部电源管理单元。 FDC606P采用SOT-23或SC-70小型封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，是空间受限应用的理想选择。同时具备良好的热稳定性和可靠性，符合工业级温度范围要求，适用于多种环境条件下的稳定运行。总体而言，FDC606P是一款高性能、低成本的P沟道MOSFET，特别适用于需要节能、小型化和高效率的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6MOSFET SuperSOT-3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC606PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC606P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1699pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC606P-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 89 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 系列 | FDC606P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDC606P_NL |
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