Datasheet下载- 型号： FQI4N90TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI4N90TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI4N90TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI4N90TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI4N90TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI4N90TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI4N90TU 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景如下： 1. 开关电源（SMPS） - FQI4N90TU 的高电压耐受能力（900V 额定击穿电压）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。 - 常见于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及反激式变换器等场景。 2. 电机驱动与控制 - 适用于各种电机驱动电路，包括步进电机、直流电机和无刷直流电机（BLDC）的控制。 - 在高压电机驱动系统中，该 MOSFET 可用作开关元件，实现高效的 PWM 控制。 3. 逆变器与变频器 - 在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和其他电力转换设备中，FQI4N90TU 可作为核心开关元件。 - 其低导通电阻（典型值为 1.8Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。 4. 电子负载与保护电路 - 用于过压保护、过流保护和短路保护电路中，确保系统的安全运行。 - 在电子负载测试设备中，可作为功率耗散元件。 5. 家电与工业设备 - 广泛应用于家用电器（如空调、冰箱、洗衣机）和工业设备（如泵、风扇、压缩机）的高压控制电路。 - 提供高效、可靠的开关性能，满足不同负载需求。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，可用于启动马达控制、车载充电器和 LED 照明驱动等高压应用场景。 - 其高可靠性和耐压特性符合汽车环境的严苛要求。 总结 FQI4N90TU 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适用于需要高压开关和高效功率转换的各种场景。无论是消费类电子产品、工业设备还是汽车电子，这款 MOSFET 都能提供出色的性能表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI4N90TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 欧姆 @ 2.1A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Tc） |
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