【未分类_IRFHM4226TRPBF】封装/厂家_IRFHM4226TRPBF中文资料_价格

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型号： IRFHM4226TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM4226TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM4226TRPBF价格参考。International RectifierIRFHM4226TRPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFHM4226TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM4226TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFHM4226TRPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。以下是该型号的应用场景：

1. 电源管理：  
   IRFHM4226TRPBF适用于各种电源管理系统，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高效能电源转换应用中表现出色，能够减少功率损耗并提高效率。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于小型电机驱动电路，如家用电器、工业自动化设备和消费电子产品的电机控制。其快速开关能力和高电流承载能力有助于实现平稳的电机运行和精确的速度控制。

3. 负载切换：  
   在需要频繁开启或关闭负载的场景中（如汽车电子、通信设备和计算机外围设备），IRFHM4226TRPBF可以作为高效的负载切换元件，确保系统稳定性和可靠性。

4. 逆变器和变频器：  
   此型号适合用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他变频器应用中。它能够在高频条件下工作，提供稳定的输出波形，并支持可再生能源系统的能量转换。

5. 汽车电子：  
   在汽车行业中，IRFHM4226TRPBF可用于车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）以及照明系统等。其坚固的设计和耐高温性能使其非常适合恶劣的汽车环境。

6. 通信基础设施：  
   在基站、路由器和其他通信设备中，该MOSFET可用于信号放大、功率分配和热管理等领域，以支持高效的数据传输和处理。

7. 消费电子产品：  
   包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器和智能家居设备在内的消费电子产品也可采用此型号，以优化能源使用并延长电池寿命。

总之，IRFHM4226TRPBF凭借其卓越的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高性能功率控制的各种领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N CH 25V 28A PQFNMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	28 A
Id-连续漏极电流	28 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM4226TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFHM4226TRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.7 W
Pd-功率耗散	2.7 W
Qg-GateCharge	32 nC
Qg-栅极电荷	32 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	25 V
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.6 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.6 V
上升时间	35 ns
下降时间	8.1 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2000pF @ 13V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	32nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.2 毫欧 @ 30A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	*
其它名称	IRFHM4226TRPBFCT
典型关闭延迟时间	14 ns
功率-最大值	2.7W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
商标名	FastIRFet
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-TQFN 裸露焊盘
封装/箱体	PQFN-8 3X3
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	136 S
漏源极电压(Vdss)	25V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fastirfet-power-mosfet/50450
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	28A （Ta）
配置	Single Quad Drain Triple Source